比亚迪发布IGBT4.0技术 并研发出SiC MOSFET

　　    日前，比亚迪在浙江宁波发布了IGBT4.0技术。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”，对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。此外，比亚迪已经成功研发了SiC MOSFET，有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。

　　    IGBT芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”，是影响电动车性能的关键技术，其成本占整车成本的5%左右。

　　    发布会现场，比亚迪还释放了另一消息：企业已经成功研发了SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。

　　第三代半导体材料SiC

　　    预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。

　　    据悉，比亚迪已投入巨资布局第三代半导体材料SiC，并将整合材料（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。

　　比亚迪SiC晶圆

　　    比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代'杀手锏'，我们期望在加速、续航等性能指标上，为广大消费者带来更多惊喜。”

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